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IRF7389PBF	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	Generation V Technology 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF	文件：259.269 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：259.269 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF_15	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF-1	文件：269.66 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：269.66 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF-1_15	文件：269.66 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：269.66 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 1N-1P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
58.0mΩ
RDS (on) max：
58.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
98.0mΩ
Polarity ：
N+P
ID (@ TA=70°C) max：
5.9A
ID (@ TA=25°C) max：
7.3A
Ptot(@ TA=25°C) max：
6.4W
QG ：
23.0nC
Tj max：
150.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd(typ) ：
6.4nC
RthJA max：
50.0K/W
VGS max：
20.0V

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