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IRF7413PBF	文件：211.18 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：211.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTAR LOW ON RESISTANCE 文件：263.63 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413PBF_15	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTAR LOW ON RESISTANCE 文件：263.63 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413PBF-1	文件：233.23 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：233.23 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413PBF-1_15	文件：233.23 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：233.23 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7413PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

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