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IRF740	文件：93.41 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. 1.HIGHCURRENTSWITCHING 2.UNINTERRUPTIBLEPOWERSUPPLY(U	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF740	文件：894.8 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF740	文件：154.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF740	文件：135.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740	文件：100.54 Kbytes Page：3 Pages	POWER MOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF740	文件：209.07 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycapabilityis	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF740	文件：56.8 Kbytes Page：7 Pages	10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET 10A,400V,0.550Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsar	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF740	文件：444.14 Kbytes Page：3 Pages	10A 400V N CHANNEL POWER MOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF740	文件：342.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION TheNellIRF740areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledevice	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF740	文件：279.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Switchmodepowersupply •Uninterruptablepowersupply •Highspeedpowerswitching •FEATURES •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max) •FastSwitchingSpeed •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdev	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRF740
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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