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IRF7406PBF	文件：235.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7406TR	文件：417.3 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7406；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframe forenhancedthermacharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealinavarietyofpowerapplications.Withthese improvementsmultipledevicescanbeusedinanapplication withdramaticallyreducedboards	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7406TR	文件：380.51 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7406；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframe forenhancedthermacharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealinavarietyofpowerapplications.Withthese improvementsmultipledevicescanbeusedinanapplication withdramaticallyreducedboardspa	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF740A	文件：89.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterr	IRF International Rectifier	IRF
IRF740A	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740AL	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified(AN1001) •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740AL	文件：141.67 Kbytes Page：10 Pages	Switch Mode Power Supply (SMPS) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterr	IRF International Rectifier	IRF
IRF740AL	文件：238.34 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsincimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740ALPBF	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified(AN1001) •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740APBF	文件：179.02 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS)	IRF International Rectifier	IRF

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技术参数

ID/A：
11
VDS/V：
400
RDS(on)/mΩ：
360
VGS/V：
30
VGS(th)/V：
2.0-4.0
N/P：
N

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