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IRF740APBF	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740AS	文件：141.67 Kbytes Page：10 Pages	Switch Mode Power Supply (SMPS) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterr	IRF International Rectifier	IRF
IRF740AS	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified(AN1001) •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740AS	文件：238.34 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsincimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740AS_V01	文件：238.34 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsincimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740ASPBF	文件：285.99 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowerswitching Lead-Free Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandC	IRF International Rectifier	IRF
IRF740ASPBF	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified(AN1001) •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740ASPBF	文件：332.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverte	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF740ASTRL	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified(AN1001) •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF740ASTRLPBF	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified(AN1001) •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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技术参数

ID/A：
11
VDS/V：
400
RDS(on)/mΩ：
360
VGS/V：
30
VGS(th)/V：
2.0-4.0
N/P：
N

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