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IRF7316PBF	文件：203.91 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰Power MOSFET 文件：203.91 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7316PBF	文件：209.43 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology 文件：209.43 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7316PBF	文件：209.43 Kbytes Page：7 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：209.43 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7316PBF_15	文件：209.43 Kbytes Page：7 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：209.43 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7316PBF-1	文件：208.91 Kbytes Page：7 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：208.91 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7316PBF-1_15	文件：208.91 Kbytes Page：7 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：208.91 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7316PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
-30.0V
RDS (on)(@10V) max：
58.0mΩ
RDS (on) max：
58.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
98.0mΩ
Polarity ：
P+P
ID (@ TA=25°C) max：
-4.9A
ID (@ TA=70°C) max：
-3.9A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
QG ：
23.0nC
Moisture Sensitivity Level ：
1
RthJA max：
62.5K/W
VGS max：
20.0V
Tj max：
150.0°C
Qgd(typ) ：
5.9nC

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更多IRF7316PBF供应商更新时间2025-10-4 13:00:00

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