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IRF7207	文件：89.88 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：89.88 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207	文件：91.61 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：91.61 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207	文件：300 bytes Page：1 Pages	Generation 5 Technology	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7207PBF	文件：150.26 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：150.26 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207TR	文件：91.61 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：91.61 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7207TRPBF	文件：1.94067 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -20V, ID= -13A RDS(ON) 文件：1.94067 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
IRF7207TRPBF	文件：177.2 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology 文件：177.2 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF7207
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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