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IRF720B	文件：879.14 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：879.14 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF720B	文件：300 bytes Page：1 Pages	400V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRF720FI	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：64.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF720FI	文件：343.23 Kbytes Page：6 Pages	N-channel enhancement mode power mos transistors 文件：343.23 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
IRF720L	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：255.7 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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更多IRF720B供应商更新时间2025-10-6 10:34:00