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IRF722	文件：1.01144 Mbytes Page：3 Pages	400 Volt, 1.8 Ohm HEXFET TO-220AB Plastic Package 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,veryfastswitching,easeofparallelingandtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. Theyarewellsuitedforapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF722	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF722	文件：554.36 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORS N-CHANNEL 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistor. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRatings ■Dynamicdv/dtRatings ■SimpleDriveRequirement ■EaseofParalleling	IRF International Rectifier	IRF
IRF722	文件：45.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF722	文件：333.66 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF722	文件：343.23 Kbytes Page：6 Pages	N-channel enhancement mode power mos transistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF7220	文件：141.56 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseP-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications.. TheSO-	IRF International Rectifier	IRF
IRF7220PBF	文件：155.91 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseP-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheSO-8	IRF International Rectifier	IRF
IRF7220GPBF	文件：189.22 Kbytes Page：7 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF722FI	文件：343.23 Kbytes Page：6 Pages	N-channel enhancement mode power mos transistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
IRF722
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V

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