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IRF7201	文件：644.03 Kbytes Page：7 Pages	Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF7201PBF	文件：173.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETMOSFETsarewellknownfo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7201TR	文件：119.84 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETMOSFETsarewellknownfo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7201PBF	文件：179.34 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7201PBF_15	文件：179.34 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7201TRPBF	文件：179.34 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF7201
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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