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IRF7205	文件：166.22 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for 文件：166.22 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205	文件：65.04 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET Power MOSFET Features • Adavanced Process Technology • Ultra Low On-Resistance • P-Channel MOSFET • Surface Mount • Dynamic dv/dt Rating • Fast Switching 文件：65.04 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
IRF7205	文件：1.92775 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET Features • Adavanced Process Technology • Ultra Low On-Resistance • P-Channel MOSFET • Surface Mount • Dynamic dv/dt Rating • Fast Switching 文件：1.92775 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
IRF7205	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7205PBF	文件：277.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：277.82 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：278.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205TRPBF	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：278.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：278.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF_15	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：278.95 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7205PBF-1	文件：279.5 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：279.5 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7205TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
70 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
130 mΩ
ID @25°C max：
-4.6 A
QG typ @10V：
27 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-3 V
VGS(th)：
-2 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF7205供应商更新时间2025-10-4 11:03:00

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