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IRF520S	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF520S	文件：173.94 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF520S_V01	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF520SPBF	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF520V	文件：200.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VL	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VLPBF	文件：225.14 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VPBF	文件：150.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VS	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRF520S
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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