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IRF630M	文件：343.5 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET Description ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources.IsolatedTO-220optionsimplifiesassemblyandcutsriskofaccidentalsh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630M	文件：326.69 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 200V - 0.35廓 - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630MFP	文件：343.5 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET Description ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources.IsolatedTO-220optionsimplifiesassemblyandcutsriskofaccidentalsh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630MFP	文件：3.1292 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF630M_06	文件：326.69 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 200V - 0.35廓 - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630MFP	文件：326.69 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 200V - 0.35廓 - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
IRF630M
制造商：
ST
功能描述：
N-CHANNEL 200V 0.35 OHM 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET

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更多IRF630M供应商更新时间2025-7-14 16:36:00

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