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IRF630NL	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30? Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.200Ω (Typ), VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：209.86 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRF630NL	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：155.06 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NL	文件：289.01 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-262 packaging • High speed switching • Low gate input resistance • Standard level gate drive • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Power supply • Switching applicatio 文件：289.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF630NL	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET 文件：173.94 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
IRF630NL	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：240.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NLPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：292.16 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF630NL
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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