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IRF640L	文件：228.71 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. SurfaceMount(IRF640S) Low-profilethrough-hole(IRF640L) AvailableinTape&	IRF International Rectifier	IRF
IRF640L	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640LPBF	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640N	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640N	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640N	文件：201.95 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Efficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤150mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandre	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640N	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF640H
制造商：
HARRIS
功能描述：
IRF640

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF640HD	IR	22+	TO-220	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF640HD	IR	23+	TO-220	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF640HD	IR	23+	TO-220	7000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF640IC	ST/意法	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRF640L	IR	23+	TO-262	35890		询价
深圳市星佑电子有限公司	IRF640L	IR	05+	原厂原装	451	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF640L	IR	24+	TO-262	8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRF640L	IR	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多IRF640H供应商更新时间2025-5-1 14:00:00

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