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IRF6611PBF	文件：266.52 Kbytes Page：10 Pages	DirectFET Power MOSFET Description TheIRF6611PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6611TR1	文件：260.079 Kbytes Page：10 Pages	RoHS compliant containing no lead or bromide Description TheIRF6611combinesthelatestHEXFET®powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeomet	IRF International Rectifier	IRF
IRF6611PBF	文件：267.48 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRF International Rectifier	IRF
IRF6611PBF_15	文件：267.48 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRF International Rectifier	IRF
ISL6611A	文件：672.47 Kbytes Page：14 Pages	PhaseDoublerwithIntegratedDriversandPhaseSheddingFunction	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6611A	文件：230.31 Kbytes Page：14 Pages	PhaseDoublerwithIntegratedDriversandPhaseSheddingFunction	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6611A	文件：1.75091 Mbytes Page：44 Pages	Dual6-Phase1-PhasePWMControllerforVR12/IMVP7Applications	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6611A	文件：1.75591 Mbytes Page：44 Pages	Dual4-Phase1-PhasePWMControllerforVR12/IMVP7Applications	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
IRF6611
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF6611供应商更新时间2025-5-7 16:30:00

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