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IRF640L	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the 文件：2.11507 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF640L	文件：228.71 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combinations of fast switching , ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. Surface Mount (IRF640S) Low-profile through-hole (IRF640L) Available in Tape & 文件：228.71 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF640LPBF	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the 文件：2.11507 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF640L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface mount\nLow-profile through-hole\nAvailable in tape and reel;	Vishay 威世科技	Vishay
IRF640L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF640L
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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