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IRF640L规格书详情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the last lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF640L/SiHF640L) is available for low-profile applications.
FEATURES
• Surface Mount
• Low-Profile Through-Hole
• Available in Tape and Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• 150 °C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
• Lead (Pb)-free Available
产品属性
- 型号：
IRF640L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
2970 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
05+ |
TO-262 |
2970 |
询价 | |||
IR |
2025+ |
TO-220 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
26890 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-262 |
43000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
IRF640L |
25+ |
491 |
491 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
