IRF640A中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FEATURES

■ Avalanche Rugged Technology

■ Rugged Gate Oxide Technology

■ Lower Input Capacitance

■ Improved Gate Charge

■ Extended Safe Operating Area

■ Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS= 200V

■ Lower RDS(ON) : 0.144 Ω(Typ.)

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