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IRF640中文资料戈采数据手册PDF规格书

IRF640
厂商型号

IRF640

功能描述

18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET

文件大小

158.63 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 First Components International
企业简称

FCI戈采

中文名称

戈采企业股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 11:34:00

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IRF640规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

This Power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

FEATURES

◆ Silicon Gate for Fast Switching Speeds

◆ Low RDS(on) to Minimize On-Losses. Specified at Elevated

Temperature

◆ Rugged – SOA is Power Dissipation Limited

◆ Source-to-Drain Characterized for Use With Inductive

Loads

产品属性

  • 型号:

    IRF640

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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