IRF634NS中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF634NS规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
产品属性
- 型号：
IRF634NS
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-220 |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
59405 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IR |
1922+ |
TO-263 |
367 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
5325 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
IR |
NEW |
TO-263 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 | ||
IR |
21+ |
D2-PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO220 |
3650 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT223 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
VISHAY/IR |
24+ |
原厂封装 |
9450 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
