IRF640中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
IRF640规格书详情
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.150 Ω
■ EXTREMELY HIGH dV/dt CAPABILITY
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
产品属性
- 型号：
IRF640
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISH |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-220 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO220-3 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IOR |
24+ |
TO-220 |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
原厂封装 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
24+ |
N/A |
55048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
询价 |
