IRF640中文资料尼尔半导体数据手册PDF规格书
IRF640规格书详情
DESCRIPTION
The Nell IRF640 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors.
They are designed, tested and guaranteed to withstand level of energy in breakdown avalanche made of operation.
FEATURES
● RDS(ON) = 0.180Ω @ VGS = 10V
● Ultra low gate charge(63nC max.)
● Low reverse transfer capacitance
(CRSS = 91pF typical)
● Fast switching capability
● 100 avalanche energy specified
● Improved dv/dt capability
● 150°C operation temperature
产品属性
- 型号：
IRF640
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
23+ |
TO-220 |
59415 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
VISH |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
SEC |
25+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
2000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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FC |
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TO-220 |
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IR |
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询价 | |||
IOR |
TO220/ |
2255 |
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询价 |
