IRF640中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF640
功能描述	N-channel TrenchMOS transistor
文件大小	95.09 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	PHI
中文名称	飞利浦
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2026-2-1 17:10:00
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IRF640规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications.

The IRF640 is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The IRF640S is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Low thermal resistance

产品属性

型号：
IRF640
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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