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IRF640中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF640

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

161.81 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2026-2-4 12:02:00

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IRF640规格书详情

DESCRIPTION

• Drain Current –ID= 18A@ TC=25℃

• Drain Source Voltage-

: VDSS= 200V(Min)

• Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.18Ω (Max)

• Fast Switching Speed

• Low Drive Requirement

APPLICATIONS

• Designed for low voltage, high speed power switching

applications such as switching regulators, converters,

solenoid and relay drivers.

产品属性

  • 型号:

    IRF640

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2023+
220
5800
进口原装,现货热卖
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ST
2023+
80000
进口原装现货
询价
IR(国际整流器)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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TO-220
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