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IRF640中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF640

功能描述

18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件大小

132.2 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 19:10:00

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IRF640规格书详情

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

特性 Features

• 18A, 200V

• rDS(ON) = 0.180Ω

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speed

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

产品属性

  • 型号:

    IRF640

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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