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IRF640FP中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF640FP

功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET

文件大小

107.08 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 16:50:00

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IRF640FP规格书详情

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.150 Ω

■ EXTREMELY HIGH dV/dt CAPABILITY

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT SWITCHING

■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,

INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

产品属性

  • 型号:

    IRF640FP

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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