IRF640FP中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
IRF640FP规格书详情
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.150 Ω
■ EXTREMELY HIGH dV/dt CAPABILITY
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
产品属性
- 型号：
IRF640FP
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
询价 | |||
IR |
1822+ |
TO-262 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
IRF640L |
491 |
491 |
询价 | ||||
ST |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
05+ |
原厂原装 |
451 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
2025+ |
TO-220 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
