IRF640L中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF640L规格书详情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combinations of fast switching , ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.
Surface Mount (IRF640S)
Low-profile through-hole (IRF640L)
Available in Tape & Reel (IRF640S)
Dynamic dv/dt Rating
150°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF640L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
2970 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
05+ |
TO-262 |
714 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-262 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
IR |
05+ |
TO-262 |
2970 |
询价 | |||
IR |
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TO-220 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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IR |
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TO-262 |
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IR |
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TO-262 |
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原装正品 |
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TO-262 |
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24+ |
TO-262 |
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询价 | |||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
询价 |
