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IRF640FP规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
This Power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
FEATURES
♦ Silicon Gate for Fast Switching Speeds
♦ Low RDS(on) to Minimize On-Losses. Specified at Elevated Temperature
♦ Rugged – SOA is Power Dissipation Limited
♦ Source-to-Drain Characterized for Use With Inductive Loads
产品属性
- 型号：
IRF640FP
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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IR |
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IRF640L |
491 |
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IR |
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ST |
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