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厂商型号

IRF640FP

功能描述

IRF640FP 18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET

文件大小

231.21 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

FCI

中文名称

富加宜

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 11:18:00

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IRF640FP规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

This Power MOSFET is designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

FEATURES

♦ Silicon Gate for Fast Switching Speeds

♦ Low RDS(on) to Minimize On-Losses. Specified at Elevated Temperature

♦ Rugged – SOA is Power Dissipation Limited

♦ Source-to-Drain Characterized for Use With Inductive Loads

产品属性

  • 型号:

    IRF640FP

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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