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IRF6603	文件：201.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPower MOSFET Description TheIRF6603combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
LDM6603LJ	文件：31.85 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICHALDATA	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
LTC6603	文件：262.05 Kbytes Page：24 Pages	DualAdjustableLowpassFilter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
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MAX6603	文件：109.94 Kbytes Page：4 Pages	On-Board5VRegulator	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6603	文件：659.83 Kbytes Page：9 Pages	Dual-Channel,PlatinumRTD-to-VoltageSignalConditioner	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6603	文件：378.34 Kbytes Page：9 Pages	Dual-Channel,PlatinumRTD-to-VoltageSignalConditioner GeneralDescription TheMAX6603dual-channel,platinumRTD-to-voltagesignalconditionerexcitesandamplifiesthesignalfromtwoexternal200Ωplatinum-resistivetemperaturedevices(PtRTD)toachievehigh-voltage,level-filteredsignalsfortemperaturemeasurements.TheMAX6603providesadir	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

详细参数

型号：
IRF6603
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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