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IRF6623TR1	文件：225.2 Kbytes Page：9 Pages	Application Specific MOSFETs Description TheIRF6623combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6623TR1PBF	文件：244.46 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters Description TheIRF6623PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayo	IRF International Rectifier	IRF

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IRF6623TR1

文件：225.2 Kbytes

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Application Specific MOSFETs

Description TheIRF6623combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRF

International Rectifier

IRF

IRF6623TR1PBF

文件：244.46 Kbytes

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Ideal for CPU Core DC-DC Converters

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详细参数

型号：
IRF6623TR1
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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