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IRF6612	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF6612 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geo 文件：200.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6612	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description The IRF6612PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：249.53 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6612TR1	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF6612 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geo 文件：200.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6612TRPBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description The IRF6612PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：249.53 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF66121PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant 文件：249.53 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant 文件：249.53 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6612PBF_15	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：249.53 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF66121PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	RoHs Compliant	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF6612
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF6612供应商更新时间2026-1-7 16:31:00

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