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IRF6612	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6612combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeo	IRF International Rectifier	IRF
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IRF6612TR1	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6612combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeo	IRF International Rectifier	IRF
IRF6612TRPBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF66121PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant	IRF International Rectifier	IRF
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IRF6612PBF_15	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF6612
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF6612供应商更新时间2025-7-14 16:30:00

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