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中天科工半导体(深圳)有限公司

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IRF6612TR1

INFINEON/英飞凌QFN

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深圳市斌腾达科技有限公司

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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX

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深圳市威雅利发展有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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IR原装现货QFN

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公司只做原装 品质保障

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

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只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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Infineon Technologies原装

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京海半导体(深圳)有限公司

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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IR

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深圳市科雨电子有限公司

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INFINEONDIRECTFET?

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就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

深圳市华来深电子有限公司

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受权代理!全新原装现货特价热卖!

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深圳市弘为电子有限公司

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IR原厂封装

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原装现货假一罚十

深圳市安富世纪电子有限公司

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IR原装现货QFN

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市亿智腾科技有限公司

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Infineon Technologies原装

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原装正品,提供BOM配单服务

深圳市晨豪科技有限公司

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INFINEON/英飞凌QFN

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当天发货全新原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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上海磐岳电子有限公司

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IRF6612TR1功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6612TR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube