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IRF6612TR1

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INFINEON/英飞凌QFN

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

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Infineon Technologies原装

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深圳市科雨电子有限公司

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INFINEONDIRECTFET?

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市弘为电子有限公司

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IRF6612TR1

IR原厂封装

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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IRF6612TR1

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深圳市斌腾达科技有限公司

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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市亿智腾科技有限公司

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IRF6612TR1

Infineon Technologies原装

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深圳市威尔健半导体有限公司

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IRQFN

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京海半导体(深圳)有限公司

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IRF6612TR1

IRQFN

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深圳市晨豪科技有限公司

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IRF6612TR1

INFINEON/英飞凌QFN

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深圳市华来深电子有限公司

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IRF6612TR1功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF6612TR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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