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IRF6608TR1	文件：187.04 Kbytes Page：9 Pages	Application Specific MOSFETs Description The IRF6608 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：187.04 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF6617TRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR SOP8	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR
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详细参数

型号：
IRF6608TR1
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF6608TR1供应商更新时间2025-10-5 9:31:00

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