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IRF6602	文件：200.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6602combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistancechargeproductinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexi	IRF International Rectifier	IRF
IRF6602	文件：133.28 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF6602TR1	文件：200.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6602combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistancechargeproductinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexi	IRF International Rectifier	IRF
IRF6602_V01	文件：133.28 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
LA6602V	文件：88.2 Kbytes Page：6 Pages	I-VAmplifierforMiniDiscDrives Features •TheLA6602VisoptimalasaninterfaceICbetweenthePDandservoICsusedinMDPUmodules. •Eightbufferamplifierchannels •On-chiplow-noisehigh-bandwidthamplifierRFblock	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LCE6602	文件：1.35166 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LCE6602N	文件：1.34224 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM6602	文件：1.35066 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LTC6602	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC6602CUF-PBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

详细参数

型号：
IRF6602
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF6602供应商更新时间2025-5-10 16:30:00

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