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IRF6602	文件：200.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF6602 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with exi 文件：200.24 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6602	文件：133.28 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET 文件：133.28 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6602	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6602TR1	文件：200.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF6602 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with exi 文件：200.24 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF6602
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRF6602供应商更新时间2026-4-17 16:30:00

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