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IRF644NSTRR	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF644NSTRRPBF	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF644NSTRR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK	Vishay 威世科技	Vishay
IRF644PBF	文件：1.64378 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation 文件：1.64378 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF644PBF	文件：154.67 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：154.67 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF644S	文件：219.91 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast swtiching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectivieness. ● Surface Mount ● Available in Tape & Reel ● Dynamic dv/dt Rating ● Repetitive Avalanche 文件：219.91 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF644NSTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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