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IRF6601	文件：130.08 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET??Power MOSFET(Vdss=20V) Description The IRF6601 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge 文件：130.08 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6601	文件：300 bytes Page：1 Pages	DirectFET™ Power MOSFET(Vdss=20V)	Infineon 英飞凌	Infineon
MPS6601	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors 文件：246.1 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MPS6601G	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6601RLRAG	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
IRF6601
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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