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IRF6601	文件：130.08 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET??Power MOSFET(Vdss=20V) Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
LMH6601	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMH6601MG	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMH6601MG/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6601MGNOPB	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6601MGSLASHNOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
IRF6601
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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