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详细参数

  • 型号:

    IRF650B_FP001

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FS
24+
原厂封装
65250
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IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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IR
23+
TO-220
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VB
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
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I
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
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I
23+
TO-220
6000
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I
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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IOR
2023+环保现货
标准封装
2500
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务
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IR
23+
20+
7000
询价
FSC
17+
TO-220
6200
询价
更多IRF650B_FP001供应商 更新时间2025-10-4 10:31:00