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IRF641 | N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V 文件:140.72 Kbytes 页数:5 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
IRF641 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:44.95 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
Improved inductive ruggedness 文件:308.86 Kbytes 页数:5 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:270.85 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 10.2A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件:318.86 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号:
IRF641
- 制造商:
Rochester Electronics LLC
- 功能描述:
- Bulk
- 制造商:
Harris Corporation
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
I |
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TO-220 |
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HArris |
25+ |
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询价 | |||
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询价 | ||
IR |
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TO-220 |
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询价 | |||
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SEC/上优 |
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TO220 |
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