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IRF640N	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640N	文件：201.95 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Efficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤150mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandre	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640N	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640N	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640NL	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640NL	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NL	文件：288.63 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-262packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingapplic	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRF640N
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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