IRF640N中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
IRF640N规格书详情
Features
• Ultra Low On-Resistance
- rDS(ON) = 0.102Ω (Typ), VGS = 10V
• Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER©
Electrical Models
- Spice and SABER© Thermal Impedance Models
• Peak Current vs Pulse Width Curve
• UIS Rateing Curve
产品属性
- 型号：
IRF640N
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO220 |
2654 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
23+ |
FAX:6564815466 |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
20+ |
TO-220 |
368 |
样品可出,原装现货 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO220 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
H |
24+ |
TO 220 |
157566 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
12+ |
TO220 |
350 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
1450 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
65480 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-220F |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
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