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IRF640NSPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NSPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N_04	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640N_18	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640NL	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NL	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NLPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NLPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

OPN：
IRF640NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
150 mΩ
ID @25°C max：
18 A
QG typ @10V：
44.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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