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IRF630MFP	文件：3.1292 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF630MFP	文件：343.5 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET Description ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources.IsolatedTO-220optionsimplifiesassemblyandcutsriskofaccidentalsh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630MFP	文件：326.69 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 200V - 0.35廓 - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630N	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630N	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30? Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF630N	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF630N	文件：119.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Efficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableop	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF630N	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630N	文件：1.58717 Mbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed DESCRIPTION ●DrainCurrent–ID=9.3A@TC=25℃ ●DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ●StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ●FastSwitchingSpeed ●LowDriveRequirement APPLICATIONS ●Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFETdesignedespecially	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF630N	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ●DrainCurrent–ID=9.3A@TC=25℃ ●DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ●StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ●FastSwitchingSpeed ●LowDriveRequirement APPLICATIONS ●Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFETdesignedespecially	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
IRF630MFP
制造商：
ST
功能描述：
N-CHANNEL 200V 0.35 OHM 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET

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更多IRF630MFP供应商更新时间2025-6-8 15:22:00

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