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IRF630STRLPBF	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630STRLPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630STRR	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFI630	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI630	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=5.9A) 200VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI630B	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI630B	文件：1.03019 Mbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI630G	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI630G	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=5.9A) 200VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF630STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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