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IRFU4104	文件：182.26 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A) AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating tempera ture, fast switc 文件：182.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU4104	文件：4.17531 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.17531 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU4104	文件：4.166479 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.166479 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU4104	文件：190.64 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：190.64 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFU4104	文件：247.48 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU4104	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFU4104PBF	文件：273.67 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5m廓 , ID = 42A ) AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：273.67 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFU4104PBF	文件：4.26019 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：4.26019 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU4104PBF	文件：4.06248 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：4.06248 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU4104PBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：330.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFU4104
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)

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