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IRLL024NTRPBF	文件：482.05 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRLL024NTRPBF-TP	文件：1.83204 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rosin=85m@Vos=10V. Rosin=100m2@Vgs=45V. HighdenseceldesignforextremelylowRosin. Ruggedandrelabi. Leadfreeproductsacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRLL024Z	文件：273.3 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL024ZPBF	文件：217.47 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL024ZPBF	文件：271.47 Kbytes Page：10 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
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IRLL024ZTRPBF	文件：271.47 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRLL024ZTRPBF	文件：964.25 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLR024	文件：100.38 Kbytes Page：17 Pages	5-BITPROGRAMMABLESYNCHRONOUSBUCK,NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLELDOAND200mAON-BOARDLDO DESCRIPTION TheIRU3007controllerICisspecificallydesignedtomeetIntelspecificationforPentiumIIämicroprocessorapplicationsaswellasthenextgenerationofP6familyprocessors.TheIRU3007providesasinglechipcontrollerICfortheVcore,LDOcontrollerforGTL+andaninternal20	IRF International Rectifier	IRF
IRLR024	文件：1.38953 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多IRFU024NPBF其他被动元件供应商更新时间2025-5-16 9:12:00

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