选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
||||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO263 |
12000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
IRTO-263 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
320 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-262 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
IR/INFINEONSOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO263 |
7906200 |
|||||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
IRTO-263 |
450 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势! |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IRTO-263 |
459 |
23+ |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
IR |
9852 |
21+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
IRTO-263 |
15338 |
06+ |
||||
|
标准国际(香港)有限公司16年
留言
|
IRL3103S1550 |
1550 |
|||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO-263 |
501458 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳好佳好科技有限公司13年
留言
|
IRTO-263 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
IRNA |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IRL3103S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL3103S图片
IRL3103S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3103S功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN D2PAK - Bulk
IRL3103SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3103STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3103STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRL3103STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube