| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
450 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
29860 |
2122+ |
全新原装正品,价格优势一片起售,可做含税 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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HARRISTO252 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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IRTO-263 |
8500 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
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HARRISTO252 |
680 |
2001 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO263 |
3487 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IORTO263 |
20000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
4856 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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IRL3103STRR图片
IRL3103STRR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3103STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRL3103STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
