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IRLR024	文件：100.38 Kbytes Page：17 Pages	5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLE LDO AND 200mA ON-BOARD LDO DESCRIPTION TheIRU3007controllerICisspecificallydesignedtomeetIntelspecificationforPentiumIIämicroprocessorapplicationsaswellasthenextgenerationofP6familyprocessors.TheIRU3007providesasinglechipcontrollerICfortheVcore,LDOcontrollerforGTL+andaninternal20	IRF International Rectifier	IRF
IRLR024	文件：1.38953 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024	文件：472.42 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) •Straightlead(IRLU024,SiHLU024) •Availableintapeandreel •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024	文件：1.2042 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRLR024	文件：463.68 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; Dynamic dV/dt rating\nSurface-mount (IRLR024, SiHLR024)\nStraight lead (IRLU024, SiHLU024);	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024_V01	文件：472.42 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) •Straightlead(IRLU024,SiHLU024) •Availableintapeandreel •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
IRLR024N	文件：334.74 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤65mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

技术参数

OPN：
IRLR024NTRLPBF/IRLR024NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
65 mΩ/65 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
110 mΩ/110 mΩ
ID @25°C max：
17 A/17 A
QG typ @4.5V：
10 nC/10 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V/1 V
VGS(th) max：
2 V/2 V
VGS(th)：
1.5 V/1.5 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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