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IRLR024	文件：100.38 Kbytes Page：17 Pages	5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLE LDO AND 200mA ON-BOARD LDO DESCRIPTION TheIRU3007controllerICisspecificallydesignedtomeetIntelspecificationforPentiumIIämicroprocessorapplicationsaswellasthenextgenerationofP6familyprocessors.TheIRU3007providesasinglechipcontrollerICfortheVcore,LDOcontrollerforGTL+andaninternal20	IRF International Rectifier	IRF
IRLR024	文件：1.38953 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024	文件：472.42 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) •Straightlead(IRLU024,SiHLU024) •Availableintapeandreel •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024	文件：1.2042 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRLR024	文件：463.68 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024_V01	文件：472.42 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) •Straightlead(IRLU024,SiHLU024) •Availableintapeandreel •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
IRLR024N	文件：334.74 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤65mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR024N	文件：173.02 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRLR024
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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