| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
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IRTO-252 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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IRTO-252 |
6500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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17年
留言
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IRTO-252 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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11年
留言
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IRTO-252 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
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infineonTO-252 |
3000 |
25 |
绝对原装正品 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK) |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK) |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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7年
留言
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INFINEONTO-252 |
21000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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16年
留言
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IRSOT-252 |
65400 |
23+ |
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13年
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INFINEONTO-252 |
10000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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4年
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INFINEONTO-252 |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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15年
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500 |
25+ |
公司现货库存 |
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12年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
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IRTO-252 |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK) |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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IR原厂封装 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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13年
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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IRLR024NTRLPBF价格
IRLR024NTRLPBF价格：￥1.4134品牌：IR
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IRLR024NTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR024功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024_09制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRLR024A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA
IRLR024N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IRLR024NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024NTR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR024NTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR024NTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024NTRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024NTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
